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JAN1N5618

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Specifiche

Modello di prodotti

JAN1N5618
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

JAN1N5618.pdf
Modello ECAD
Tensione - Picco inversa (max)

Standard
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1A
Serie

Military, MIL-PRF-19500/427
Stato RoHS

Bulk
Tempo di ripristino inverso (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistenza a If, F

-
Polarizzazione

A, Axial
Altri nomi

1086-2108
1086-2108-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione

2µs
Tipo montaggio

Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

8 Weeks
codice articolo del costruttore

JAN1N5618
Descrizione espansione

Diode Standard 600V 1A Through Hole
Configurazione diodo

500nA @ 600V
Descrizione

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Corrente - Dispersione inversa a Vr

1.3V @ 3A
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)

600V
Capacità a Vr, F

-65°C ~ 200°C

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "JAN1N5618".

JAN1N5621

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation

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