JAN1N3647

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Specifiche

Modello di prodotti

JAN1N3647
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

JAN1N3647.pdf
Modello ECAD
Tensione - Picco inversa (max)

Standard
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

250mA
Tensione - Ripartizione

S, Axial
Serie

Military, MIL-PRF-19500/279
Stato RoHS

Bulk
Tempo di ripristino inverso (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistenza a If, F

-
Polarizzazione

S, Axial
Altri nomi

1086-16800
1086-16800-MIL
Tipo montaggio

Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

8 Weeks
codice articolo del costruttore

JAN1N3647
Descrizione espansione

Diode Standard 3000V (3kV) 250mA Through Hole S, Axial
Configurazione diodo

5µA @ 1500V
Descrizione

DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL
Corrente - Dispersione inversa a Vr

5V @ 250mA
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)

3000V (3kV)
Capacità a Vr, F

-65°C ~ 150°C

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "JAN1N3647".

JAN1N3673A

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Produttori: Microsemi

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