APTSM120AM09CD3AG

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Specifiche

Modello di prodotti

APTSM120AM09CD3AG
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

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Descrizione

MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 9mA
Contenitore dispositivo fornitore

Module
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

11 mOhm @ 180A, 20V
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

Module
temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

23000pF @ 1000V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

1224nC @ 20V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Silicon Carbide (SiC)
Tensione drain-source (Vdss)

1200V (1.2kV)
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 337A (Tc) Chassis Mount Module
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

337A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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APTSM120AM08CT6AG

Descrizione: POWER MODULE - SIC

Produttori: Microsemi

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