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APTMC120HM17CT3AG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTMC120HM17CT3AG
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    POWER MODULE - SIC MOSFET
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APTMC120HM17CT3AG.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 30mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SP3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    17 mOhm @ 100A, 20V
  • Potenza - Max
    750W
  • Contenitore / involucro
    Module
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    5576pF @ 1000V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    332nC @ 5V
  • Tipo FET
    4 N-Channel
  • Caratteristica FET
    Silicon Carbide (SiC)
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 4 N-Channel 1200V (1.2kV) 147A (Tc) 750W Chassis Mount SP3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    147A (Tc)

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