APTGLQ100A65T1G

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Specifiche

Modello di prodotti

APTGLQ100A65T1G
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

PWR MOD IGBT4 650V 200A SP1
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APTGLQ100A65T1G.pdf
2.APTGLQ100A65T1G.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2.3V @ 15V, 100A
Contenitore dispositivo fornitore

SP1
Serie

-
Potenza - Max

350W
Contenitore / involucro

SP1
temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)
Termistore NTC

Yes
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6nF @ 25V
Ingresso

Standard
Tipo IGBT

Trench Field Stop
Descrizione dettagliata

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 650V 200A 350W Through Hole SP1
Corrente - Cutoff collettore (max)

100µA
Corrente - collettore (Ic) (max)

200A
Configurazione

Half Bridge

Notizie correlate
spedizione
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APTGL90H120T3G

Descrizione: MOD IGBT 1200V 110A SP3

Produttori: Microsemi

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