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Specifiche

Modello di prodotti

APTGF50VDA120T3G
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

APTGF50VDA120T3G.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

3.7V @ 15V, 50A
Contenitore dispositivo fornitore

SP3
Serie

-
Potenza - Max

312W
Contenitore / involucro

SP3
temperatura di esercizio

-
Termistore NTC

Yes
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.45nF @ 25V
Ingresso

Standard
Tipo IGBT

NPT
Descrizione dettagliata

IGBT Module NPT Dual Boost Chopper 1200V 70A 312W Chassis Mount SP3
Corrente - Cutoff collettore (max)

250µA
Corrente - collettore (Ic) (max)

70A
Configurazione

Dual Boost Chopper

Notizie correlate
spedizione
Metodi di pagamento

Abbiamo istituito partnership a lungo termine con i principali fornitori di logistiche globali, offrendo soluzioni di spedizione flessibili ed efficienti su misura per le tue esigenze uniche.A seconda delle dimensioni, del peso e della destinazione del tuo ordine, selezioniamo il vettore di spedizione più adatto.Forniamo anche servizi di monitoraggio della logistica in tempo reale, consentendo ai clienti di comprendere la posizione e lo stato delle loro merci in qualsiasi momento. Se hai percorsi di spedizione internazionali specifici o un spedizioniere designato, contattare il nostro team di vendita, siamo felici di soddisfare le tue esigenze.

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IS61NVF51236-7.5B3

Descrizione: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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