APTC90DSK12T1G

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Specifiche

Modello di prodotti

APTC90DSK12T1G
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

APTC90DSK12T1G.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3.5V @ 3mA
Contenitore dispositivo fornitore

SP1
Serie

CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

120 mOhm @ 26A, 10V
Potenza - Max

250W
imballaggio

Tray
Contenitore / involucro

SP1
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V
Tipo FET

2 N Channel (Dual Buck Chopper)
Caratteristica FET

Super Junction
Tensione drain-source (Vdss)

900V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

30A

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APTC90DSK12T1G".

SIT2025BEES1-28N

Descrizione: OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM SMD

Produttori: SiTime

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RFQ

Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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