APTC80H15T3G

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Specifiche

Modello di prodotti

APTC80H15T3G
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APTC80H15T3G.pdf
2.APTC80H15T3G.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3.9V @ 2mA
Contenitore dispositivo fornitore

SP3
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

150 mOhm @ 14A, 10V
Potenza - Max

277W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP3
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4507pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V
Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

800V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

28A

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APTC80H15T3G".

TLP2358(TPR,E)

Descrizione: X36 PB-F PHOTOCOUPLER

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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