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5934494Immagine APTC60HM83FT2G.Microsemi

APTC60HM83FT2G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTC60HM83FT2G
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APTC60HM83FT2G.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 3mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Module
  • Serie
    CoolMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    83 mOhm @ 18A, 10V
  • Potenza - Max
    250W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    Module
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    7290pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    255nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 36A 250W Chassis Mount Module
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    36A

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APTC60HM70T3G

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Descrizione: MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3

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Descrizione: MOSFET 4N-CH 600V 95A SP3

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Descrizione: MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P

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