APTC60DHM24T3G

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Specifiche

Modello di prodotti

APTC60DHM24T3G
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

APTC60DHM24T3G.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3.9V @ 5mA
Contenitore dispositivo fornitore

SP3
Serie

CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

24 mOhm @ 47.5A, 10V
Potenza - Max

462W
imballaggio

Tray
Contenitore / involucro

SP3
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET

Super Junction
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 600V 95A 462W Chassis Mount SP3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

95A

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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APTC60DHM24T3G".

APTC60HM45SCTG

Descrizione: MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4

Produttori: Microsemi

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