APT58M50J

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Specifiche

Modello di prodotti

APT58M50J
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APT58M50J.pdf
2.APT58M50J.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

ISOTOP®
Serie

POWER MOS 8™
Rds On (max) a Id, Vgs

65 mOhm @ 42A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

540W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

340nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

500V
Descrizione dettagliata

N-Channel 500V 58A (Tc) 540W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

58A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APT58M50J".

JANTX1N4550RB

Descrizione: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO5

Produttori: Microsemi

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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