APT35SM70B

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Specifiche

Modello di prodotti

APT35SM70B
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 700V TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

APT35SM70B.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

+25V, -10V
Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

145 mOhm @ 10A, 20V
Dissipazione di potenza (max)

176W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1035pF @ 700V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 20V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Tensione drain-source (Vdss)

700V
Descrizione dettagliata

N-Channel 700V 35A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Notizie correlate
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APT38F50J

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Produttori: Microsemi

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