APT34N80B2C3G

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Specifiche

Modello di prodotti

APT34N80B2C3G
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APT34N80B2C3G.pdf
2.APT34N80B2C3G.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3.9V @ 2mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

T-MAX™ [B2]
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

145 mOhm @ 22A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

417W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3 Variant
Altri nomi

APT34N80B2C3GMI
APT34N80B2C3GMI-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4510pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

355nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

800V
Descrizione dettagliata

N-Channel 800V 34A (Tc) 417W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APT34N80B2C3G".

SIT8918AA-13-33E-10.000000E

Descrizione: OSC MEMS 10.0000MHZ LVCMOS SMD

Produttori: SiTime

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

Futuretech Components is a reliable and professional distributor. They offer high-quality electronic components, fast response times, and flexible sourcing solutions. Whether for standard or hard-to-find parts, their service helps us keep our supply chain stable and efficient. A trusted partner in every way.

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