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1649568Immagine APT33GF120BRG.Microsemi

APT33GF120BRG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT33GF120BRG
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 1200V 52A 297W TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APT33GF120BRG.pdf
    2.APT33GF120BRG.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    3.2V @ 15V, 25A
  • Condizione di test
    -
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    25ns/210ns
  • di scambio energetico
    2.8mJ (on), 2.8mJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247 [B]
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    297W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    APT33GF120BRGMI
    APT33GF120BRGMI-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    NPT
  • carica gate
    170nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT NPT 1200V 52A 297W Through Hole TO-247 [B]
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    104A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    52A

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Descrizione: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

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