APT30N60SC6

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Specifiche

Modello di prodotti

APT30N60SC6
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

APT30N60SC6.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3.5V @ 960µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

D3Pak
Serie

CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

125 mOhm @ 14.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

219W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2267pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

88nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 30A (Tc) 219W (Tc) Surface Mount D3Pak
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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APT30SCD120B

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A

Produttori: Microsemi

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