APT30M19JVFR

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Specifiche

Modello di prodotti

APT30M19JVFR
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APT30M19JVFR.pdf
2.APT30M19JVFR.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

ISOTOP®
Serie

POWER MOS V®
Rds On (max) a Id, Vgs

19 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

700W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

22 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

21600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

975nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

300V
Descrizione dettagliata

N-Channel 300V 130A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

130A (Tc)

Notizie correlate
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APT30M85BVRG

Descrizione: MOSFET N-CH 300V 40A TO-247

Produttori: Microsemi

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