APT20N60SC3G

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Specifiche

Modello di prodotti

APT20N60SC3G
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

APT20N60SC3G.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3.9V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

D3Pak
Serie

CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

190 mOhm @ 13.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

208W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2440pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

114nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount D3Pak
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

20.7A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APT20N60SC3G".

APT20SCD65K

Descrizione: DIODE SILICON 650V 32A TO220

Produttori: Microsemi

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