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3882775Immagine APT150GT120JR.Microsemi

APT150GT120JR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT150GT120JR
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 1200V 170A 830W SOT227
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APT150GT120JR.pdf
    2.APT150GT120JR.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    3.7V @ 15V, 150A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ISOTOP®
  • Serie
    Thunderbolt IGBT®
  • Potenza - Max
    830W
  • Contenitore / involucro
    ISOTOP
  • Altri nomi
    APT150GT120JRMI
    APT150GT120JRMI-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistore NTC
    No
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    9.3nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    NPT
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module NPT Single 1200V 170A 830W Chassis Mount ISOTOP®
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    150µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    170A
  • Configurazione
    Single

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APT15D100BG

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Produttori: Microsemi
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APT14M100B

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Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT15D100BCTG

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Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT14M120B

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Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT15D100KG

APT15D100KG

Descrizione:

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT150GN60JDQ4

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Descrizione: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT150GN120JDQ4

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Descrizione: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT15D100BHBG

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Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT15D40BCTG

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Descrizione: DIODE ARRAY GP 400V 15A TO247

Produttori: Microsemi
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APT150GN60LDQ4G

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Descrizione: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi Corporation
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APT150GN60B2G

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Descrizione: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT150GN120J

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Descrizione: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT15D120BCTG

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Descrizione: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT15D120KG

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT15D120BG

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

Produttori: Microsemi Corporation
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APT14M100S

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Produttori: Microsemi
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APT150GN60J

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Descrizione: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Produttori: Microsemi
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APT14F100S

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Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Produttori: Microsemi
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APT15D30KG

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Descrizione: DIODE GEN PURP 300V 15A TO220-2

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ

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