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Specifiche

Modello di prodotti

APT12057B2FLLG
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

APT12057B2FLLG.pdf
Modello ECAD
Tensione - Prova

5155pF @ 25V
Tensione - Ripartizione

T-MAX™ [B2]
Vgs (th) (max) a Id

570 mOhm @ 11A, 10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

POWER MOS 7®
Stato RoHS

Tube
Rds On (max) a Id, Vgs

22A (Tc)
Polarizzazione

TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore

APT12057B2FLLG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

185nC @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

5V @ 2.5mA
Caratteristica FET

N-Channel
Descrizione espansione

N-Channel 1200V (1.2kV) 22A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Tensione drain-source (Vdss)

-
Descrizione

MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

1200V (1.2kV)
rapporto di capacità

690W (Tc)

Notizie correlate
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Descrizione: CAP FILM 3.3UF 10% 100VDC RADIAL

Produttori: EPCOS

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20/05/2025

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