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843578Immagine APT100DL60BG.Microsemi

APT100DL60BG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT100DL60BG
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 600V 100A TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APT100DL60BG.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.6V @ 100A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    600V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-2
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 600V 100A Through Hole TO-247
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    100A
  • Capacità a Vr, F
    -

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APT1003RBLLG

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APT10045B2LLG

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Produttori: Microsemi Corporation
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APT100GF60JU2

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Produttori: Microsemi
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Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

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Descrizione: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Produttori: Microsemi
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Descrizione: MOD DIODE 600V SOT-227

Produttori: Microsemi
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APT10078BLLG

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Produttori: Microsemi
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Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

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Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Produttori: Microsemi
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APT10035JLL

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Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Produttori: Microsemi
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APT10090BLLG

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Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

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APT100GF60JU3

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Descrizione: IGBT 600V 120A 416W SOT227

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