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Specifiche

Modello di prodotti

2N7334
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

2N7334.pdf
Modello ECAD
Tensione - Prova

-
Tensione - Ripartizione

MO-036AB
Vgs (th) (max) a Id

700 mOhm @ 600mA, 10V
Serie

-
Stato RoHS

Bulk
Rds On (max) a Id, Vgs

1A
Potenza - Max

1.4W
Polarizzazione

14-DIP (0.300", 7.62mm)
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore

2N7334
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

60nC @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

4V @ 250µA
Caratteristica FET

4 N-Channel
Descrizione espansione

Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
Tensione drain-source (Vdss)

Standard
Descrizione

MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

100V

Notizie correlate
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2N7635-GA

Descrizione: TRANS SJT 650V 4A TO-257

Produttori: GeneSiC Semiconductor

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