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Specifiche

Modello di prodotti

2N6901
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

2N6901.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-39
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

2.6 Ohm @ 1.07A, 5V
Dissipazione di potenza (max)

8.33W (Tc)
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

TO-205AF Metal Can
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 1.69A (Tc) 8.33W (Tc) Through Hole TO-39
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

1.69A (Tc)

Notizie correlate
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2N690

Descrizione: SCR THYRISTOR TO48

Produttori: Central Semiconductor

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