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Specifiche

Modello di prodotti

2N6798U
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 200V 18LCC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

2N6798U.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

18-ULCC (9.14x7.49)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

400 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

800mW (Ta), 25W (Tc)
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

18-CLCC
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

5.29nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

200V
Descrizione dettagliata

N-Channel 200V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Tc)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "2N6798U".

9T08052A2802DAHFT

Descrizione: RES SMD 28K OHM 0.5% 1/8W 0805

Produttori: Yageo

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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