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2N2222AE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N2222AE3
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    SMALL-SIGNAL BJT
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    A norma RoHS
  • Specifiche
    2N2222AE3.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1V @ 50mA, 500mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-18
  • Serie
    -
  • Stato RoHS
    RoHS Compliant
  • Potenza - Max
    500mW
  • Contenitore / involucro
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    50nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    800mA

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MW-10-03-G-D-153-065

MW-10-03-G-D-153-065

Descrizione: 1MM X 1MM C.L. SURFACE MOUNT BOA

Produttori: Samtec, Inc.
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