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959514Immagine 1N6625E3.Microsemi Corporation

1N6625E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N6625E3
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Modello ECAD
  • Tensione - Picco inversa (max)
    Standard
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1A
  • Tensione - Ripartizione
    A, Axial
  • Serie
    -
  • Stato RoHS
    Bulk
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistenza a If, F
    -
  • Polarizzazione
    A, Axial
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    80ns
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    1N6625E3
  • Descrizione espansione
    Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Through Hole A, Axial
  • Configurazione diodo
    1µA @ 1000V
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1.95V @ 1.5A
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    1100V (1.1kV)
  • Capacità a Vr, F
    -65°C ~ 150°C

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