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Specifiche

Modello di prodotti

1N6081US
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

1N6081US.pdf
Modello ECAD
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1.5V @ 37.7A
Tensione - inversa (Vr) (max)

150V
Contenitore dispositivo fornitore

G-MELF (D-5C)
Velocità

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

30ns
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SQ-MELF, G
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-65°C ~ 155°C
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

7 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo

Standard
Descrizione dettagliata

Diode Standard 150V 2A Surface Mount G-MELF (D-5C)
Corrente - Dispersione inversa a Vr

10µA @ 150V
Corrente - raddrizzata media (Io)

2A
Capacità a Vr, F

-

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "1N6081US".

33544510150012

Descrizione: 1XHAN 3A SFP FO CAB.AS.15M LC DU

Produttori: HARTING

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RFQ

Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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