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Specifiche

Modello di prodotti

1N5622US
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

1N5622US.pdf
Modello ECAD
Tensione - Picco inversa (max)

Standard
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1A
Tensione - Ripartizione

D-5A
Serie

-
Stato RoHS

Bulk
Tempo di ripristino inverso (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistenza a If, F

-
Polarizzazione

SQ-MELF, A
Temperatura di funzionamento - Giunzione

2µs
Tipo montaggio

Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

7 Weeks
codice articolo del costruttore

1N5622US
Descrizione espansione

Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A
Configurazione diodo

500nA @ 1000V
Descrizione

DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Corrente - Dispersione inversa a Vr

1.3V @ 3A
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)

1000V (1kV)
Capacità a Vr, F

-65°C ~ 200°C

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "1N5622US".

1N5623

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation

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