1N482B

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Specifiche

Modello di prodotti

1N482B
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 30V 200MA DO35
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

1N482B.pdf
Modello ECAD
Tensione - Picco inversa (max)

Standard
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

200mA
Tensione - Ripartizione

DO-35
Serie

-
Stato RoHS

Bulk
Tempo di ripristino inverso (trr)

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Resistenza a If, F

-
Polarizzazione

DO-204AH, DO-35, Axial
Tipo montaggio

Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore

1N482B
Descrizione espansione

Diode Standard 30V 200mA Through Hole DO-35
Configurazione diodo

25nA @ 30V
Descrizione

DIODE GEN PURP 30V 200MA DO35
Corrente - Dispersione inversa a Vr

1V @ 100mA
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)

30V
Capacità a Vr, F

-65°C ~ 200°C

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "1N482B".

1N483B_T50R

Descrizione: DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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