Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N4006-TP
Richiesta di offerta online
Italia
5264200Immagine 1N4006-TP.Micro Commercial Components (MCC)

1N4006-TP

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N4006-TP
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.1V @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    800V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-41
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    2µs
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Altri nomi
    1N4006-TPMSCT
    1N4006TP
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-41
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 800V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    -
  • Numero di parte base
    1N4006
MBR60080CTR

MBR60080CTR

Descrizione: DIODE MODULE 80V 300A 2TOWER

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino

Review (1)

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire