Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > DS1250AB-100
Richiesta di offerta online
Italia
5798335Immagine DS1250AB-100.Maxim Integrated

DS1250AB-100

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    DS1250AB-100
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    100ns
  • Tensione di alimentazione -
    4.75 V ~ 5.25 V
  • Tecnologia
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    32-EDIP
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    NVSRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 100ns 32-EDIP
  • Numero di parte base
    DS1250AB
  • Tempo di accesso
    100ns
09484747757020

09484747757020

Descrizione: RJ INDUSTRIAL RJ45 CAT6A PATCH C

Produttori: HARTING
In magazzino

Review (1)

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire