CSD85312Q3E

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Specifiche

Modello di prodotti

CSD85312Q3E
Costruttore / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

1.4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

8-VSON (3.3x3.3)
Serie

NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

12.4 mOhm @ 10A, 8V
Potenza - Max

2.5W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerVDFN
Altri nomi

296-37187-2
CSD85312Q3E-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

35 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2390pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

15.2nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET

Logic Level Gate, 5V Drive
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

39A

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "CSD85312Q3E".

CSD85302L

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 5A

Produttori: Luminary Micro / Texas Instruments

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