Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > BQ4013YMA-85N
Richiesta di offerta online
Italia
1351169

BQ4013YMA-85N

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    BQ4013YMA-85N
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Modello ECAD
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    85ns
  • Tensione di alimentazione -
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Tecnologia
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    32-DIP Module (18.42x42.8)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    NVSRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 85ns 32-DIP Module (18.42x42.8)
  • Numero di parte base
    BQ4013
  • Tempo di accesso
    85ns
RMCF2512FT1R18

RMCF2512FT1R18

Descrizione: RES 1.18 OHM 1% 1W 2512

Produttori: Stackpole Electronics, Inc.
In magazzino

Review (1)

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire