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Specifiche

Modello di prodotti

SCT2280KEC
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.SCT2280KEC.pdf
2.SCT2280KEC.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 1.4mA
Vgs (Max)

+22V, -6V
Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

364 mOhm @ 4A, 18V
Dissipazione di potenza (max)

108W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
Altri nomi

SCT2280KECU
temperatura di esercizio

175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

667pF @ 800V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 18V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

18V
Tensione drain-source (Vdss)

1200V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1200V 14A (Tc) 108W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "SCT2280KEC".

1206J0630181GFR

Descrizione: CAP CER 180PF 63V C0G/NP0 1206

Produttori: Knowles Syfer

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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