RFN2LAM4STR

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Specifiche

Modello di prodotti

RFN2LAM4STR
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.RFN2LAM4STR.pdf
2.RFN2LAM4STR.pdf
Modello ECAD
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1.2V @ 1.5A
Tensione - inversa (Vr) (max)

400V
Contenitore dispositivo fornitore

PMDTM
Velocità

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

30ns
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SOD-128
Altri nomi

RFN2LAM4STRTR
Temperatura di funzionamento - Giunzione

150°C (Max)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo

Standard
Descrizione dettagliata

Diode Standard 400V 1.5A Surface Mount PMDTM
Corrente - Dispersione inversa a Vr

1µA @ 400V
Corrente - raddrizzata media (Io)

1.5A
Capacità a Vr, F

-

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "RFN2LAM4STR".

RFN3BM6STL

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Produttori: LAPIS Semiconductor

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