RF4E075ATTCR

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Specifiche

Modello di prodotti

RF4E075ATTCR
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.RF4E075ATTCR.pdf
2.RF4E075ATTCR.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

HUML2020L8
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

21.7 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

8-PowerUDFN
Altri nomi

RF4E075ATTCRCT
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

P-Channel 30V 7.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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