RDD023N50TL

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Specifiche

Modello di prodotti

RDD023N50TL
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

RDD023N50TL.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

CPT3
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

5.4 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

20W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

RDD023N50TLTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

151pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

500V
Descrizione dettagliata

N-Channel 500V 2A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tc)

Notizie correlate
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RDD0824S12

Descrizione: DC DC CONVERTER 12V 8W

Produttori: XP Power

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