RAL045P01TCR

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Specifiche

Modello di prodotti

RAL045P01TCR
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.RAL045P01TCR.pdf
2.RAL045P01TCR.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

-8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TUMT6
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-SMD, Flat Leads
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

12V
Descrizione dettagliata

P-Channel 12V 4.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "RAL045P01TCR".

NVATS4A104PZT4G

Descrizione: MOSFET P-CHANNEL 30V 82A ATPAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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