EMG4T2R

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Specifiche

Modello di prodotti

EMG4T2R
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.EMG4T2R.pdf
2.EMG4T2R.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore

EMT5
Serie

-
Resistor - Emitter Base (R2)

-
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potenza - Max

150mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Altri nomi

EMG4T2RTR
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

250MHz
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

-
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA
Numero di parte base

*MG4

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "EMG4T2R".

EMG2DXV5T5G

Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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