EMB2T2R

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Specifiche

Modello di prodotti

EMB2T2R
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.EMB2T2R.pdf
2.EMB2T2R.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore

EMT6
Serie

-
Resistor - Emitter Base (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

47 kOhms
Potenza - Max

150mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SOT-563, SOT-666
Altri nomi

EMB2T2R-ND
EMB2T2RTR
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

250MHz
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA
Numero di parte base

MB2

Notizie correlate
spedizione
Metodi di pagamento

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Descrizione: .050'' X .050

Produttori: Samtec, Inc.

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SIT1602BC-71-28E-32.768000D

Descrizione: -20 TO 70C, 2016, 20PPM, 2.8V, 3

Produttori: SiTime

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RFQ

Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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