DTC123JSATP

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Specifiche

Modello di prodotti

DTC123JSATP
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

DTC123JSATP.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore

SPT
Serie

-
Resistor - Emitter Base (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Potenza - Max

300mW
imballaggio

Tape & Box (TB)
Contenitore / involucro

SC-72 Formed Leads
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

250MHz
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA
Numero di parte base

DTC123

Notizie correlate
spedizione
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DTC123JU3T106

Descrizione:

Produttori: LAPIS Semiconductor

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