DTC115EMT2L

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Specifiche

Modello di prodotti

DTC115EMT2L
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.DTC115EMT2L.pdf
2.DTC115EMT2L.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore

VMT3
Serie

-
Resistor - Emitter Base (R2)

100 kOhms
Resistor - Base (R1)

100 kOhms
Potenza - Max

150mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SOT-723
Altri nomi

DTC115EMT2LTR
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

250MHz
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

82 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)

20mA
Numero di parte base

DTC115

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "DTC115EMT2L".

DTC115GUAT106

Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Produttori: LAPIS Semiconductor

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