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6950717Immagine 2SA2007E.LAPIS Semiconductor

2SA2007E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SA2007E
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 60V 12A TO220FN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SA2007E.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    60V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    500mV @ 400mA, 8A
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220FN
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    25W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    80MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 12A 80MHz 25W Through Hole TO-220FN
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    320 @ 2A, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    12A

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Descrizione:

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: TRANS PNP 20V 1A S-MINI 3P

Produttori: Panasonic
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Descrizione: TRANS PNP 12V 0.5A SOT-416

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: TRANS RF PNP 12V 0.05A SOT-23

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Descrizione: TRANS PNP 15V 2.5A MINI 3P

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Descrizione: RF TRANSISTOR PNP SOT-23

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Descrizione: RF TRANSISTOR PNP SOT-23

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Descrizione: TRANS PNP 230V 15A TO-3PN

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