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IRLR8103VPBF

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Specifiche

Modello di prodotti

IRLR8103VPBF
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IRLR8103VPBF.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

D-Pak
Serie

HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

9 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

115W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

SP001567340
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2672pF @ 16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 91A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

91A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "IRLR8103VPBF".

IRLR8113PBF

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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