IRG7CH35UEF

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Specifiche

Modello di prodotti

IRG7CH35UEF
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IRG7CH35UEF.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

1.6V @ 15V, 5A
Condizione di test

600V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C

30ns/160ns
di scambio energetico

-
Contenitore dispositivo fornitore

Die
Serie

-
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

Die
Altri nomi

SP001536260
temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

Standard
Tipo IGBT

-
carica gate

85nC
Descrizione dettagliata

IGBT 1200V Surface Mount Die

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "IRG7CH35UEF".

IRG7CH23K10EF

Descrizione: IGBT 1200V DIE

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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