International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N06S207ATMA4

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Specifiche

Modello di prodotti

IPB80N06S207ATMA4
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPB80N06S207ATMA4.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 180µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TO263-3-2
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

6.3 mOhm @ 68A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi

SP001067870
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

55V
Descrizione dettagliata

N-Channel 55V 80A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "IPB80N06S207ATMA4".

IPB80N06S2L06ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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