IXFH12N50F

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Specifiche

Modello di prodotti

IXFH12N50F
Costruttore / Marca

IXYS RF
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 500V 12A TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IXFH12N50F.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5.5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247 (IXFH)
Serie

HiPerRF™
Rds On (max) a Id, Vgs

400 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

180W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1870pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

500V
Descrizione dettagliata

N-Channel 500V 12A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Notizie correlate
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IXFH130N15X3

Descrizione: MOSFET N-CH

Produttori: IXYS Corporation

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