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6425877Immagine 70V3569S5BC.IDT (Integrated Device Technology)

70V3569S5BC

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    70V3569S5BC
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 576K PARALLEL 256CABGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Tecnologia
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    256-CABGA (17x17)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    256-LBGA
  • Altri nomi
    IDT70V3569S5BC
    IDT70V3569S5BC-ND
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    576Kb (16K x 36)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 576Kb (16K x 36) Parallel 5ns 256-CABGA (17x17)
  • Numero di parte base
    IDT70V3569
  • Tempo di accesso
    5ns
1812Y1K00390KFR

1812Y1K00390KFR

Descrizione: CAP CER 39PF 1KV C0G/NP0 1812

Produttori: Knowles Syfer
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