EPC2101

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Specifiche

Modello di prodotti

EPC2101
Costruttore / Marca

EPC
Quantità stock

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Descrizione

TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

EPC2101.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Contenitore dispositivo fornitore

Die
Serie

eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs

11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V
Potenza - Max

-
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

Die
Altri nomi

917-1181-2
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET

GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A, 38A

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "EPC2101".

VJ0805D101MXBAR

Descrizione: CAP CER 100PF 100V C0G/NP0 0805

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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