EPC2019ENG

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Specifiche

Modello di prodotti

EPC2019ENG
Costruttore / Marca

EPC
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

EPC2019ENG.pdf
Modello ECAD
Tensione - Prova

270pF @ 100V
Tensione - Ripartizione

Die
Vgs (th) (max) a Id

50 mOhm @ 7A, 5V
Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)
Serie

eGaN®
Stato RoHS

Cut Tape (CT)
Rds On (max) a Id, Vgs

8.5A (Ta)
Polarizzazione

Die
Altri nomi

917-1055-1
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore

EPC2019ENG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5nC @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

2.5V @ 1.5mA
Caratteristica FET

N-Channel
Descrizione espansione

N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die
Tensione drain-source (Vdss)

-
Descrizione

TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

200V
rapporto di capacità

-

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "EPC2019ENG".

EPC2016

Descrizione: TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE

Produttori: EPC

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EPC2019ENG

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