ZXTP2012GTA

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Specifiche

Modello di prodotti

ZXTP2012GTA
Costruttore / Marca

Diodes Incorporated
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS conforme
Specifiche

ZXTP2012GTA.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

60V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

250mV @ 500mA, 5A
Tipo transistor

PNP
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-223
Serie

-
Potenza - Max

3W
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi

ZXTP2012GDKR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

120MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 5.5A 120MHz 3W Surface Mount SOT-223
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 1V
Corrente - Cutoff collettore (max)

20nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

5.5A
Numero di parte base

ZXTP2012

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "ZXTP2012GTA".

ZXTP2039FTA

Descrizione: TRANS PNP 60V 1A SOT23-3

Produttori: Diodes Incorporated

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